据台媒《经济日报》报道，晶圆代工厂台积电2nm该工艺将于2025年大规模生产，预计市场将领先对手三星和英特尔。

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台积电先进工艺进展顺利，搭配FINFLEX架构的3nm今年下半年量产，升级版3nm（N3E）制程将于3nm批量生产一年后，即2023年批量生产。先进包装部分，第一个全自动化3DFabric晶圆厂预计将于2022年下半年开始生产。

虽然在3nm世代略显保守，但无论如何，FinFET宽度已接近实际极限，再往下走就会遇到瓶颈。因此，外资法人估计台积电2nm先进工艺采用环绕闸极效电晶GAAFET高端架构生产2nm芯片。

台积电2nm工厂将实施竹科宝山二期扩建计划，竹科管理局已启动公共设施建设，台积电2nm工厂也开始整地作业。

台积电2nm与纳米片架构相比，纳米片架构首次采用N3E在相同的功耗下，该工艺的频率可以增加10%到15%。在相同的频率下，功耗降低了25%到30%。台积电总裁魏哲佳近日在技术论坛上强调，台积电2nm它将是密度最好、效率最高的技术。

此前消息称，将于2024年获得ASML下一代极紫外光微影设备（high-NA EUV），为客户开发相关的基础设施和架构解决方案。台积电业务开发高级副总经理张晓强表示，2024年获得设备后，主要用于与合作伙伴共同研究，不会大规模生产。

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