意大利半导体发布了两个灵活多用的电源模块,简化了SiC逆变器设计
意法半导体发布了两个内置1200,采用主流配置V 碳化硅(SiC) MOSFET的STPOWER电源模块。两个模块都使用意大利半导体ACEPACK 2 密封技术,功率密度高,安装方便。
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第一款模块A2F12M12W2-F一是四组模块 DC/DC 全桥功率转换解决方案,如转换器等电路。
第二款模块A2U12M12W2-F2采用三电平T型逆变拓扑,导通性和开关性都很好,输出电压质量稳定。
这两款模块中的 MOSFET使用意法半导体的第二代 SiC 技术,RDS(on) x 芯片面积的质量因素非常好,以确保开关能够处理高电流,并将功率损耗降低到非常低。每个芯片的典型导电阻RDS(on)都是13mΩ,全桥拓扑和T型拓扑两个模块均可用于高功率应用的设计,低热耗散保证了优异的应用效率,热管理设计简单。
ACEPACK 2.包装尺寸紧凑,功率密度高,采用高效氧化铝基板和直接覆铜 (DBC)芯片安装技术。外部连接是压接引脚,便于安装在潜在的恶劣环境中,如电动汽车(EV)以及充电桩、储能和太阳能的功率转换。包装的绝缘耐压性为2.5kVrms,内置一个NTC温度传感器,可用于系统保护诊断功能。
两个模块已投产。
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